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重大突破！清洗設備龍頭挺進18/19納米技術節(jié)點

2025/2/27 19:38:26      挖貝網(wǎng) 周路遙

日前，國內(nèi)半導體清洗設備龍頭盛美上海（中國市場市占率為23%，內(nèi)資企業(yè)排名第一）發(fā)布了2024年年報。在年報中，公司表示，其半導體清洗設備已經(jīng)挺進18/19納米技術節(jié)點。

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具體來說，盛美上海的SAPS技術目前已應用于邏輯28nm技術節(jié)點及 DRAM 19nm技術節(jié)點，并可拓展至邏輯芯片 28nm、DRAM 18/19nm技術節(jié)點、32/64層3D NAND工藝、高深寬比的功率器件及TSV深孔清洗應用，在DRAM上有70多步應用，而在邏輯電路 FinFET結構清洗中有近20步應用。

盛美上海的TEBO技術主要針對45nm及以下圖形晶圓的無損傷清洗，目前已應用于邏輯芯片28nm技術節(jié)點，已進行18-19nm DRAM工藝圖形晶圓的清洗工藝評估，并可拓展至 28nm邏輯芯片及nm級3D結構、高深寬比DRAM產(chǎn) 品及多層堆疊3D NAND等產(chǎn)品中，在DRAM上有 70多步應用，而在邏輯電路FinFET結構清洗中有10 多步應用。

據(jù)了解，SAPS技術和TEBO技術是當前半導體清洗設備領域應用的兩項主要技術，其中：

SAPS兆聲波清洗技術：針對傳統(tǒng)兆聲波清洗工藝中兆聲波能量無法均勻控制的問題，盛美上海開發(fā)了SAPS兆聲波清洗 技術。兆聲波的工藝頻率范圍為1-3MHz，最大功率可達3W/cm2。SAPS兆聲波清洗技術通過控 制工藝過程中兆聲波發(fā)生器和晶圓之間的相對運動，使得晶圓上每一點在工藝時間內(nèi)接收到的兆 聲波能量都相同，不受晶圓翹曲的影響，并確保晶圓上每點所承受的能量在安全范圍內(nèi)。實驗證 明，SAPS兆聲波清洗技術可控制晶圓表面的能量非均勻度在2%以內(nèi)，實現(xiàn)了兆聲波能量的安 全可控。

TEBO兆聲波清洗技術：隨著芯片技術節(jié)點進一步縮小，以及深寬比進一步增大，圖形晶圓清洗的難度變大。當芯片 制造技術進一步延伸至20nm以下，以及圖形結構向多層3D發(fā)展后，傳統(tǒng)兆聲波清洗難以控制 氣泡進行穩(wěn)態(tài)空化效應，造成氣泡破裂，從而產(chǎn)生高能微射流對晶圓表面圖形結構造成損傷。

盛美上海自主研發(fā)的TEBO清洗設備，可適用于28nm及以下工藝圖形晶圓的清洗，通過一系列 快速（頻率達到每秒一百萬次）的壓力變化，使得氣泡在受控的溫度下保持尺寸和形狀振蕩，將 氣泡控制在穩(wěn)定震蕩狀態(tài)，而不會內(nèi)爆，從而保持晶圓微結構不被破壞，對晶圓表面圖形結構進 行無損傷清洗。公司TEBO清洗設備，在器件結構從2D轉換為3D的技術轉移中，可應用于更 為精細的具有3D結構的FinFET、DRAM和新興3D NAND等產(chǎn)品，以及未來新型納米器件和 量子器件等，在提高客戶產(chǎn)品良率方面發(fā)揮越來越重要的作用。