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中微公司官宣！刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米 刻蝕設備全球出貨超5000臺

2025/3/13 19:12:12      挖貝網 周路遙

日前，中微公司官宣了其在市場、技術等領域的最新進展！

市場方面，中微公司表示，公司等離子體刻蝕設備反應總臺數全球累計出貨超過5000臺。這包括CCP高能等離子體刻蝕機和ICP低能等離子體刻蝕機、單反應臺反應器和雙反應臺反應器共四種構型的設備。

技術方面，中微公司強調，公司CCP和ICP的雙臺機，刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米水平，相當于頭發(fā)絲直徑約三十萬分之一。要知道，一個硅原子的半徑約為0.11納米。

以下是詳細情況：

市場占有率：累計已銷售超5400個反應臺

據了解，刻蝕機主要有兩種，分別是CCP高能等離子體刻蝕機和ICP低能等離子體刻蝕機。目前，無論是CCP設備還是ICP設備，中微公司的市場份額都在快速增長。

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中微公司表示，公司的CCP高能等離子刻蝕設備和ICP低能等離子體刻蝕設備的出貨量近年來都保持高速增長。CCP設備在線累計裝機量近四年年均增長大于37%，已突破4000個反應臺；ICP設備在線累計裝機量近四年年均增長大于100%，已突破1000個反應臺。

截至2025年2月底，中微公司累計已有超過5400個反應臺在國內外130多條生產線，全面實現了量產和大規(guī)模重復性銷售，贏得了眾多客戶和供應廠商的信任和支持。

技術水平：刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米

中微公司表示，公司的刻蝕設備在過去的20年積累了大量的芯片生產線量產數據和客戶驗證數據，已經可以覆蓋絕大多數的刻蝕應用，包括各種高端的應用。特別是CCP和ICP的雙臺機，反復論證了雙反應臺之間刻蝕的線寬差別，１Sigma已達到０.５納米以下，刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米水平，相當于頭發(fā)絲直徑約三十萬分之一。

中微公司還強調，公司的刻蝕機已在5納米及更先進的微觀器件生產線上大量應用。

資料顯示，一個硅原子的半徑約為110pm（pm，長度單位，1pm等于0.001納米），即0.11納米。以精準到0.1到0.2納米水平，意味著中微公司的設備已經能實現原子級的操作。

研發(fā)速度翻倍：只需兩年或更短時間就能開發(fā)出新設備

中微公司強調，公司研發(fā)新產品的速度顯著加快，過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設備，現在只需兩年或更短時間就能開發(fā)出有競爭力的新設備，并順利進入市場。

具體來看，近年來中微公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的六種LPCVD薄膜設備已經順利進入市場。其中，在進入市場后只一年，存儲器生產線所用的LPCVD設備出貨量已突破100多個反應臺，2024年得到約4.76億元批量訂單。