在全球半導體盛會SEMICON China 2026期間，中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，證券代碼“688012”）宣布推出四款覆蓋硅基及化合物半導體關(guān)鍵工藝的新產(chǎn)品，包括新一代電感耦合ICP等離子體刻蝕設(shè)備Primo Angnova?、高選擇性刻蝕機Primo Domingo?、Smart RF Match智能射頻匹配器以及藍綠光Micro LED量產(chǎn)MOCVD設(shè)備Preciomo Udx?，進一步豐富了公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備及核心智能零部件領(lǐng)域的產(chǎn)品組合及系統(tǒng)化解決方案能力，持續(xù)夯實平臺化發(fā)展的基礎(chǔ)，助力公司在規(guī)?；卣沟倪M程中實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。

Primo Angnova?：應(yīng)對先進節(jié)點高深寬比挑戰(zhàn)的ICP解決方案

隨著邏輯芯片向5納米及以下節(jié)點邁進和先進存儲芯片對高深寬比刻蝕的要求日益嚴苛，刻蝕設(shè)備面臨著對刻蝕精度、均勻性、深寬比等多重挑戰(zhàn)。Primo Angnova? ICP單腔刻蝕系統(tǒng)正是為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)而生。

新一代電感耦合ICP等離子體刻蝕設(shè)備Primo Angnova?

該產(chǎn)品采用中心抽氣設(shè)計，配備業(yè)界領(lǐng)先的對稱氣流控制閥、高流導和高速分子泵系統(tǒng)，可實現(xiàn)極高的反應(yīng)氣體通量，大幅度擴展反應(yīng)腔體壓力控制范圍。在功率源和等離子體方面，Primo Angnova?集成了具有中微公司自主知識產(chǎn)權(quán)的第二代LCC射頻線圈和直流磁場輔助線圈MFTR，并配備先進的四段脈沖控制，可實現(xiàn)對離子濃度和離子能量的高精度獨立控制。尤其突出的是，其搭載的超低頻射頻等離子體源，能夠產(chǎn)生極高的離子能量，顯著增強了設(shè)備在高深寬比ICP刻蝕工藝中的處理能力。

在溫度控制方面，Primo Angnova?采用超過200區(qū)獨立溫控的Durga III ESC靜電吸盤，分區(qū)控溫精度顯著提升，結(jié)合晶圓邊緣連續(xù)AEIT（晶圓邊緣阻抗主動調(diào)節(jié)） 設(shè)計，實現(xiàn)了優(yōu)異的片內(nèi)刻蝕均勻性。在系統(tǒng)集成與效率方面，Primo Angnova?搭載了中微公司成熟的Primo C6V3傳送平臺，最多可配置6個主刻蝕腔體與2個LL Strip除膠腔體，有效降低綜合運行成本。

Primo Angnova?的推出，為5納米及以下邏輯芯片技術(shù)以及同等技術(shù)節(jié)點難度的先進存儲芯片的制造領(lǐng)域， 提供了自主可控、技術(shù)領(lǐng)先的ICP刻蝕工藝解決方案，助力客戶提升先進制程產(chǎn)能，降低生產(chǎn)成本，持續(xù)增強市場競爭力。

Primo Domingo?：攻克GAA與3D-DRAM的高選擇比刻蝕難題

如今，芯片架構(gòu)三維化正成為支持芯片持續(xù)縮微的重要動能, 而高選擇性刻蝕工藝是三維器件制造的關(guān)鍵工藝之一。針對GAA、3D NAND、DRAM等器件工藝需求, 中微公司正式推出Primo Domingo? 高選擇性刻蝕設(shè)備。

中微公司高選擇性刻蝕機Primo Domingo?

該產(chǎn)品采用全對稱腔體結(jié)構(gòu)與優(yōu)化流場設(shè)計，在氣體注入、溫度控制、壓力調(diào)控等關(guān)鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)系統(tǒng)整合，確保晶圓表面刻蝕的高度均勻性與工藝重復性。Primo Domingo?獨特的集成氣柜設(shè)計，可縮短氣體注入距離，實現(xiàn)更快脈沖氣體精密控制，為刻蝕工藝提供精準保障。設(shè)備內(nèi)部采用了高抗腐蝕管路與特殊涂層材料以應(yīng)對工藝所需的高活性刻蝕氣體，保障設(shè)備長期可靠運行。此外，Primo Domingo?配備了雙制冷/雙加熱晶圓基座，支持寬范圍精準溫控，顯著提升了刻蝕工藝的均勻性與穩(wěn)定性。Primo Domingo?同樣搭載中微公司量產(chǎn)的Primo C6V3傳輸系統(tǒng)，可靈活搭配主刻蝕腔和輔助退火腔，滿足不同刻蝕應(yīng)用的需求。

Primo Domingo?的推出，標志著公司在高選擇性刻蝕設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重要突破，填補了國內(nèi)在下一代3D半導體器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的自主化空白。該產(chǎn)品的成功研發(fā)，不僅進一步豐富了公司在高端刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣，更有力支撐了集成電路產(chǎn)業(yè)在先進工藝節(jié)點上的技術(shù)攻堅，為客戶實現(xiàn)更高性能、更小尺寸的器件制造提供了關(guān)鍵工藝設(shè)備保障。

Smart RF Match：從“被動響應(yīng)”到“主動預測”的智能革命

此次發(fā)布的Smart RF Match 智能射頻匹配器，是中微公司在高端半導體刻蝕設(shè)備中關(guān)鍵子系統(tǒng)的又一創(chuàng)新突破。Smart RF Match智能射頻匹配器用于在設(shè)備腔體內(nèi)實現(xiàn)穩(wěn)定的等離子體生成與控制，專為半導體前道制程，特別是介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕，以及先進封裝、MEMS、化合物半導體等精密刻蝕的應(yīng)用而設(shè)計。它首次在半導體設(shè)備領(lǐng)域引進了射頻回路專網(wǎng)概念，通過EtherCAT實現(xiàn)射頻電源與智能匹配器之間射頻狀態(tài)信息的實時準確傳輸，使智能匹配器能夠作為主動設(shè)備，在調(diào)節(jié)匹配網(wǎng)絡(luò)的同時向射頻電源下發(fā)控制指令。

中微公司Smart RF Match智能射頻匹配器

基于具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型智能射頻匹配控制算法，Smart RF Match可實現(xiàn)微秒級的射頻環(huán)境響應(yīng)，能夠根據(jù)等離子體狀態(tài)實時自動調(diào)節(jié)阻抗，確保射頻能量高效、穩(wěn)定地傳輸。獨特的智能調(diào)控算法根據(jù)工藝條件對電源頻率調(diào)節(jié)范圍以及匹配調(diào)節(jié)模式等進行自動選擇及切換，實現(xiàn)比傳統(tǒng)匹配器快百倍以上的匹配速度。

在客戶端高端邏輯工藝的實際測試中，在相同工藝條件下，與傳統(tǒng)的固定式匹配方案相比，智能射頻匹配系統(tǒng)不僅將射頻信號匹配速度提升了225%，還助力整體刻蝕效率提高15%。這一性能提升，直接轉(zhuǎn)化為更高的設(shè)備單位產(chǎn)能與更穩(wěn)定的工藝一致性。

智能射頻匹配器的推出，標志著中微公司在等離子體控制領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從“被動響應(yīng)”到“主動預測”的關(guān)鍵跨越。它不僅有效解決了行業(yè)長期面臨的匹配精度、效率與穩(wěn)定性的核心難題，顯著提升了工藝性能與設(shè)備產(chǎn)能，更通過為下一代高端設(shè)備嵌入智能內(nèi)核，為客戶持續(xù)創(chuàng)造更高良率、更優(yōu)成本與更強競爭力的價值，推動半導體制造向更高效、更智能的未來邁進。

Preciomo Udx ?：為Micro LED量產(chǎn)打造的關(guān)鍵MOCVD設(shè)備

為滿足Micro LED量產(chǎn)對高波長均勻性與低顆粒度的嚴苛要求，中微公司推出了專為Micro LED量產(chǎn)設(shè)計的Preciomo Udx ? MOCVD設(shè)備。該設(shè)備從氣體輸運、加熱模式、溫場控制等關(guān)鍵技術(shù)均采用了全新的設(shè)計理念，突破了現(xiàn)有垂直氣流MOCVD的技術(shù)路線，采用新型水平式雙旋轉(zhuǎn)反應(yīng)室結(jié)構(gòu)，并通過對溫場與流場的仿真設(shè)計，及硬件與工藝優(yōu)化，顯著提升了波長均勻性，為客戶實現(xiàn)Micro LED量產(chǎn)提供了關(guān)鍵支撐。

中微公司藍綠光Micro LED量產(chǎn)MOCVD設(shè)備Preciomo Udx?

中微公司此次發(fā)布的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Preciomo Udx?專為MOCVD量產(chǎn)設(shè)計，最多可配置兩個反應(yīng)腔，可同時加工18片6英寸或者12片8英寸高性能氮化鎵藍綠光Micro LED外延片。每個反應(yīng)腔均可獨立控制，具有高度生產(chǎn)靈活性。同時，Preciomo Udx?采用水平式雙旋轉(zhuǎn)反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，并配備符合集成電路行業(yè)標準的EFEM和SMIF系統(tǒng)，可實現(xiàn)片盒到片盒的全自動化傳輸模式，有效降低Micro LED外延片的顆粒數(shù)。該設(shè)備基于模型的溫度控制系統(tǒng)與業(yè)界領(lǐng)先的單腔產(chǎn)能，使其憑借優(yōu)異的波長均勻性、低缺陷密度以及高產(chǎn)出穩(wěn)定性，滿足了Micro LED量產(chǎn)的嚴苛技術(shù)要求。

中微公司產(chǎn)品家族

自2004年成立以來，中微公司始終站在先進制程工藝發(fā)展的前沿，堅持“技術(shù)創(chuàng)新性，產(chǎn)品差異化和知識產(chǎn)權(quán)保護”。作為行業(yè)領(lǐng)先的半導體設(shè)備企業(yè)，中微公司持續(xù)推動技術(shù)突破與產(chǎn)品創(chuàng)新，平臺化戰(zhàn)略全面落地，產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，正穩(wěn)步邁入規(guī)模化發(fā)展新階段。近年來，公司不斷提高開發(fā)新的設(shè)備產(chǎn)品的質(zhì)量和效率，將新產(chǎn)品的開發(fā)從傳統(tǒng)的3到5年周期大幅縮短至2年以內(nèi)， 2025年公司開發(fā)的項目涵蓋六大類，超過二十款新設(shè)備。通過“有機生長和外延擴展”，公司在五年內(nèi)將覆蓋60%以上的高端關(guān)鍵設(shè)備。持續(xù)且高強度的研發(fā)投入，為公司的技術(shù)突破與產(chǎn)品創(chuàng)新，以及未來持續(xù)高速發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。

隨著四款新品的加入，公司已覆蓋從宏觀控制到微觀感知、從成熟制程到前沿節(jié)點的多個維度，為加速向高端半導體設(shè)備平臺化公司邁進注入了全新動能。

未來，中微公司將繼續(xù)堅持“三維立體生長“ 與 ”有機生長和外延擴展”相結(jié)合的戰(zhàn)略，持續(xù)鞏固在集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域的核心競爭力和優(yōu)勢，不斷拓展泛半導體關(guān)鍵設(shè)備應(yīng)用，并通過持續(xù)的技術(shù)升級和深度的產(chǎn)業(yè)鏈合作進行新興領(lǐng)域探索，通過“科創(chuàng)企業(yè)五個十大”的學習和傳承，使企業(yè)總能量、對外競爭的凈能量最大化，實現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康、安全的高質(zhì)量發(fā)展，為2035年在規(guī)模、產(chǎn)品競爭力和客戶滿意度上成為全球頭部梯隊的半導體設(shè)備公司打下堅實的基礎(chǔ)。